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| 品牌Behlke | 有效期至长期有效 | 最后更新2020-07-26 14:04 |
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Behlke高压开关SiC和沟槽FET 应用
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应用说明一： BEHLKE固态开关具有极高的上升和下降时间。如果您的应用不需要全切换速度，我们建议您结合使用速度限制选件S-TT（将上升和下降时间慢大约50％）与输入低通滤波器选件LP结合使用。限速选件有助于最大程度地减少快速高压脉冲电路常见的高频困难（例如，自激振荡，自触发，振铃等），并总体上简化了EMC设计。
应用笔记二：快速固态开关对于不受钳位的电感负载或过大的布线电感产生的反向电流相对敏感。反向电流可能会以不确定的方式导通慢速本征（寄生）FET二极管，并且可能导致灾难性的开关故障，尤其是在关断阶段结合高关断电流时。因此，当将电感性负载或高电感性布线连接到开关时，建议始终将FET开关与快速续流二极管网络（快速串联隔离二极管+并联快速续流二极管）组合使用。该保护二极管网络可以通过BEHLKE FDA系列的单个二极管从外部安装。它还可以作为选件I-FWDN集成到交换模块中。
出口限制：根据美国法律和德国法律（双重使用法规），对具有最大峰值电流等于或大于500安培的快速固态开关进行出口限制。未经美国或德国出口当局的有效出口许可证，不得将这些货物出口到第三国。可能需要最终用户声明。请咨询BEHLKE。
产品代码：型号包含有关电压，电流和开启行为的编码信息。前几位代表电压，单位为kV，破折号前的最后一位代表接通行为（0 =固定接通时间，1 =可变接通时间）。破折号后的数字表示以安培x10为单位的电流。第二个破折号后的字母将对特殊功能进行编码。示例HTS 61-15-SiC：HTS = HV晶体管开关，6 = 6 kV，1 =可变导通时间，120 = 1200安培，SiC =碳化硅（或B =低导通电阻沟道FET）
B-CON
初学者的配置： 标准开关配备了各种选件，可以为没有高压和高频电路设计经验的用户简化首次实验。初学者的配置包括FH和PT-HV选件，可轻松进行布线和连接，而无需印刷电路板；以及LS-C，LP和S-TT选件，可实现非关键的EMC性能。没有经验的用户还应考虑与选件I-PC或PC结合使用，以避免高压接线和/或高频噪声行为可能造成的困难。（2）
HFB 高频突发：通过外部缓冲电容器改善驱动器的突发能力。如果产生的间隔小于10μs的脉冲超过10个，则建议使用。
高铁
高频开关：外部提供辅助驱动器电压（根据类型为50-350 VDC）。是否必须超过规定的“最大工作频率”。（2）
LP
低通：控制输入上的低通滤波器。传播延迟时间将增加约50 ns。抖动+ 500 ps。在高速应用中提高了抗噪能力，并减少了关键布线。（3）
快速
由于增加了驱动器功率，因此切换时间更快（-30至-40％）。最短接通时间将减少约40％至50％。仅适用于选定的大电流开关。请咨询工厂。（2）
儿子
软启动： “启动上升时间”增加了约20％。如果不需要最短的边缘陡度，则可以简化EMC设计并减少关键性布线。（3）
关闭
软关闭：“关闭上升时间”增加了约20％。如果不需要最短的边缘陡度，则可以简化EMC设计并减少关键性布线。（3）
S-TT
软过渡时间：“开启上升时间”和“关闭上升时间”增加了约20％。如果不需要最短的边缘陡度，则可以简化EMC设计并减少关键性布线。（3）
最小开启
最小接通时间：单独增加最小接通时间，以确保独立于控制信号的最小接通持续时间。用于安全相关电路。
最小关
最小关闭时间：单独增加最小关闭时间，以确保独立于控制信号的最小关闭持续时间。用于安全相关电路。
ST
级分接： 在堆叠各个级的连接器，以利用单个功率半导体。为了在非常低的工作电压（<0.01xVo）下也获得快速的上升时间。
LNC
低自然电容：C N降低约30％。为了在具有高开关频率和高开关电压（Pc = V 2 x C xf）的应用中最小化电容性功率损耗。
二
低漏电流：断态电流降至指定值的10％以下。不适用于散热片选件和UF系列的开关。
LN
低噪声： 内部电源驱动器经过修改，可在特定时间段内实现零噪声排放。仅与敏感的检测器放大器（例如，SEV / MCP应用）结合使用。（2）
ISO-25
25 kV隔离： 隔离电压增加到25 kVDC。某些型号的外壳尺寸可能会改变。
ISO-40
40 kV隔离： 隔离电压增加到40 kVDC。某些型号的外壳尺寸可能会改变。仅与选件PT-HV有关。
ISO-80
80 kV隔离： 隔离电压增加到80 kVDC。某些型号的外壳尺寸可能会改变。仅与选件PT-HV有关。
ISO-120
120 kV隔离：隔离电压增加到120 kVDC。某些型号的外壳尺寸可能会改变。仅与选件PT-HV有关。
PL
被动锁定：特殊的禁止功能，用于快速推挽电路中的两个单个开关。无源开关的输入将被激活的开关锁定，以避免因噪声而导通。
电脑
集成的零件组件：根据客户的规格集成小零件的组件（例如，缓冲电容器，缓冲器，阻尼电阻器，二极管，光电耦合器）。（2）
前轮驱动
集成式自由二极管： 内置并联二极管，恢复时间短。仅与感性负载有关。
固网
集成式空转二极管网络：内置并联二极管加串行截止二极管，恢复时间短。仅与感性负载有关。
SPT-C
用于控制连接的屏蔽尾纤：带LEMO插头+插座和100Ω端接的电缆（l = 300mm，Z =100Ω）。与驱动器电路的距离较远时，提高了抗噪能力。（3）
PT-C
尾纤用于控制连接：带有PCB连接器的柔性引线（l = 75 mm）。该选项仅与带引脚的开关模块有关。推荐用于带有CF和GCF选项的模块。
密码
用于控制连接的引脚：用于印刷电路板设计的镀金引脚（可提供特殊插座）。该选项仅与带有标准尾纤的交换模块有关。
高压
高压连接的尾纤：带电缆接线头的柔性引线。为了增加爬电距离。PT-HV是开关电压大于25 kV的所有类型的标准配置。不建议在极快的电路中使用。
ST-HV
用于HV连接的螺钉端子：模块底部的螺纹插入件（如果不是标准的话）。用于PCB设计。在25 kV以上的电压下运行需要液体绝缘（Galden®/油）或灌封。
9月
独立控制单元。 带LED指示器的控制单元在单独的外壳中（尺寸为79x38x17 mm）。带插头的连接电缆（<1m）。带焊针或尾纤的控制单元。
信息系统 光纤输入/禁止：附加的禁止输入，通过将禁止输入与光纤信号一起使用来关闭开关（仅与选件SEP-C组合使用）（2）
信息技术 光纤输入/控制：附加的光纤控制输入，通过光纤信号触发开关（仅与选件SEP-C组合使用）（2）
FOO-F 光纤输出/故障：附加的光纤输出，用于通过光纤信号读出故障情况（仅与选件SEP-C组合使用）（2）
UL94
阻燃铸造树脂：符合UL-94-VO的铸造树脂。所需的最低订购量。（2）
跳频 法兰外壳： 塑料法兰外壳，用于绝缘连接到导电表面。如果该开关不适用于印刷电路板，则是理想选择。建议使用选项PT-HV。
TH
管状壳体：管状而不是矩形壳体。适应特定的环境条件或遇到困难的组装情况。（2）
足球俱乐部
平整外壳：标准塑料外壳的高度减小到19毫米或更小。不能与CF，GCF和DLC冷却选项组合使用。
国贸中心
增加的导热系数：特殊的模制工艺可增加模块的导热系数。Pd（max）将增加约。20-30％。（2）
碳纤维
铜散热片d = 0.5毫米：散热片 高度35毫米。镀镍。用于强制对流或自然对流的空气冷却，以及非导电冷却液的液体冷却。
CF-1
铜散热片d = 1毫米：散热片厚度为1.0毫米而不是0.5毫米。最高 功耗Pd（max）将增加约80％。用于空气或液体冷却（例如Galden®或油）。
CF-X2
铜散热片“ XL”：散热片面积增加了2倍。推荐用于自然空气对流。与强制空气或液体冷却有关的冷却功率没有明显改善。
CF-X3
铜制散热片“ XXL”：散热片面积增加了3倍。推荐用于自然空气对流。与强制空气或液体冷却有关的冷却功率没有明显改善。
CF-CS
定制形状的铜散热片：个性化的形状可以满足特定的OEM要求。（2）可以与选件CF-1，CF-D和CF-S组合使用，以提高冷却能力。
CF-LC
用于液体冷却的铜散热片：双散热片，镀镍铜，高20毫米。用于浸入油箱等中。建议强制对流。与opt组合。CF-S。
碳纤维
双铜 散热片： 约。约100％的冷却功率 散热片之间的间距为2mm，建议强制对流。与opt组合。CF-S，CF-X2，CF-X3和CF-CS。
碳纤维
铜散热 片：半导体焊接在散热片上。约 冷却能力提高30％至100％（取决于类型）。与选件CF-D，CF-X2，CF-X3和CF-CS组合。
CF卡
由石墨制成的非隔离式散热片： 在类似的热传递条件下，与铜相比，重量很轻，但热容却降低了。厚度为0.5或1毫米，高度为35毫米。
碳减排量
陶瓷制成的隔离式散热片： 传热特性类似于氧化铝。建议使用强制对流，因为散热片之间的间距为2 mm。高度35毫米。
CCS
陶瓷冷却表面：开关模块的顶部由陶瓷制成。传热性能类似于氧化铝。最高 20 kVDC隔离。建议强制对流。
CCF
陶瓷冷却法兰：开关模块的底部由平磨陶瓷板制成。集成金属框架，确保均匀，安全的接触压力。最高 40 kVDC隔离。
C-DR
驱动 器冷却：驱动器和控制电子设备的额外冷却。建议在较高的开关频率下与选件HFS结合使用。（2）
GCF
接地冷却法兰：中功率的镀镍铜法兰。最高 隔离电压40kV。耦合电容CC增加。
GCF-X2
接地冷却法兰，最大值 连续功耗增加了2 倍：减小了“切换到法兰”的热阻，使功率消耗增加了一倍。（2）
国际劳工大会
间接液体冷却： 液体冷却适用于所有类型的导电冷却剂，包括。水。内部热交换器由陶瓷制成。用于中等功耗。
DLC
直接液体冷却：内部冷却通道环绕功率半导体。高频应用中最有效的冷却方式。仅非导电冷却液。
● 通过碳化硅FET（SiC）或沟槽FET技术实现极低的导通电阻 ● 具有真正继电器特性的多功能HV开关 ● 可通过TTL信号控制导通时间 ● 低动态开关损耗和 极低的导通损耗 ● 适用于工业电源应用 ● 过载和电压反转方面均很坚固 ● 出色的dv / dt抗高压瞬变能力
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