品牌BEHLKE | 有效期至长期有效 | 最后更新2023-04-13 15:37 |
峰值电流10000A | 峰值功率40MW | 最大值电压4KV |
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BEHLKE 晶闸管 di/dt高压开关 HTS200-800-SCR 产品代码
田永福 QQ:2850590589 手机:15201542839 电话:010-64717020-122 传真:010-84786709-666 邮件:sales3@handelsen.cn |
高压开关,用于放电应用,以及产生与快速高压FDA续流二极管相关的阻尼正弦振荡
● 高峰值电流能力
● 高的di/dt,但不影响可靠性和预期寿命,因为大量的单个SCR具有单独的栅极驱动
● 非常耐过载
●通过简单的TTL触发脉冲(2-5 V)轻松点火
● 非常紧凑,重量轻
●各种冷却选项
应用说明:
与dv/dt和di/dt能力非常有限的传统盘式晶闸管开关不同,快速BEHLKE晶闸管开关模块由大量较小的晶闸管芯片(类型取决于多达1000个单个晶闸管)组成,并联和串联连接,因此单个晶闸管的dv/dt和di/dt被有效地分割为非关键值。每个晶闸管都由它自己的高度同步和隔离的栅极驱动器触发。这使得非常短的栅极布线成为可能,并避免了传统晶闸管开关设计中已知的危险热点。BEHLKE晶闸管开关可以安全地工作在最高的di/dt和dv/dt速率以及最高的峰值电流下,而不会明显缩短使用寿命。BEHLKE晶闸管开关是真正的门控开关,不会从负载电路吸取点火能量。这允许从几乎0 V(提供足够的吸合电流)到最大电压的安全切换,而没有任何限制。
这些开关在至少150%的最大工作电压下是隔离的,因此可以轻松实现开关应用。为了节省成本和体积,特别是在低端开关应用中(例如,撬棍电路),所有BEHLKE晶闸管开关也可以采用可选的不对称隔离,例如正极为200 kV,负极为30 kV。通过为每个晶闸管开关型号定制隔离电压额定值,可以满足特殊的隔离电压要求,而不管其工作电压如何。“常规”隔离电压选项范围为40 kV至200 kV(可选。ISO-40、ISO-80、ISO-120、ISO-200)。可根据要求提供符合欧洲安全标准的“医疗证明”。在约4-8周的交货时间内,1到150 kV(交流/DC)之间的任何定制电压和1到100 kA之间的任何定制峰值电流都是可能的。如果定制交换机可以在现有平台上实现,我们不会收取额外费用。请咨询贝克。
为了并联连接几个晶闸管开关,它们配有同步I/O。如果一个开关由于故障条件(如过温)而关闭,该功能可确保同步触发并抑制其他开关模块的触发输入。由于强电磁场可能由开关的高di/dt能力引起,建议在所有情况下使用单独的控制单元(选项SEP-C) 大感应线圈面积。 这尤其适用于非常大的开关模块,如果di/dt为%3E 5 kA/ s对于中小型开关模块的应用,我们建议使用印刷电路板(最终采用多层技术),以最大限度地降低杂散电感,并保持较小的感应环路面积。
使用印刷电路板的设计也保证了整个电子系统的可再现的EMC行为。在任何情况下,请确保负载圆与控制圆的距离适当,以避免磁反馈效应,否则内部安全电子设备将检测到故障情况,开关将被锁定2秒钟。每一枪之后。大多数开关通过红色LED指示这一点。
所有BEHLKE晶闸管开关均可选配接地冷却法兰(GCF选项)、镀镍铜散热片(CF选项)、石墨散热片(CF-GRA选项、陶瓷散热片(CF-CER选项)、水冷(ILC选项)、非导电冷却剂直接液体冷却(DLC选项)或陶瓷冷却表面(CSS选项)。为了避免高压电位下散热片的电晕放电,我们建议在40 kV以上的电压下使用直接液体冷却(可选DLC)或陶瓷散热片(可选CF-CER)或水冷却(可选ILC)。
产品代码:型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。前几个数字代表以kV为单位的电压,破折号前的最后一个数字表示导通行为(0 =固定导通时间,1 =可变导通时间)。破折号后的数字表示电流,单位为安培x10。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。HTS 60-100-SCR示例:HTS =高压晶闸管开关,6 = 6 kV,0 =取决于固定导通时间的电流,100 = 1000安培,SCR =硅控整流器(晶闸管)。
开关模型 |
描述/评论 |
最大值电压 |
峰值电流 |
峰值功率 |
准时 |
|
● |
同步。并行连接的I/O。 |
4 |
10000 |
40 |
35…∞ |
|
● |
同步。并行连接的I/O。 |
6 |
10000 |
60 |
35…∞ |
|
HTS60-100-SCR |
● |
带高压引线的管状外壳。冷却选项不可用。 |
6.4 |
1000 |
6.4 |
35…∞ |
● |
led指示器。非常紧凑的设计- CF选项部分不适用! |
6.4 |
2000 |
12.8 |
35…∞ |
|
HTS80-200-SCR |
● |
同步。并行连接的I/O。 |
8 |
2000 |
16 |
35…∞ |
● |
同步。并行连接的I/O。 |
8 |
5000 |
40 |
35…∞ |
|
● |
同步。并行连接的I/O。 |
8 |
10000 |
80 |
35…∞ |
|
HTS 100-1600 SCR |
● |
led指示器和同步。并行连接的I/O |
10 |
16000 |
160 |
35…∞ |
HTS120-200-SCR |
● |
同步。并行连接的I/O。 |
12 |
2000 |
24 |
35…∞ |
● |
同步。并行连接的I/O。 |
12 |
5000 |
60 |
35…∞ |
|
● |
led指示器和同步。并行连接的I/O |
12 |
16000 |
192 |
35…∞ |
|
● |
led指示器。非常紧凑的设计- CF选项部分不适用! |
12.8 |
1000 |
12.8 |
35…∞ |
|
HTS150-200-SCR |
● |
led指示器。非常紧凑的设计- CF选项部分不适用! |
15 |
2000 |
30 |
35…∞ |
HTS160-200-SCR |
● |
同步。并行连接的I/O。仅通过尾纤进行高压连接。 |
16 |
2000 |
32 |
35…∞ |
● |
同步。并行连接的I/O。 |
16 |
5000 |
80 |
35…∞ |
|
HTS160-200-SCR |
● |
同步。并行连接的I/O。 |
16 |
2000 |
32 |
35…∞ |
● |
led指示器和同步。并行连接的I/O |
16 |
16000 |
256 |
35…∞ |
|
HTS200-800-SCR |
● |
led指示器和同步。并行连接的I/O |
20 |
8000 |
160 |
35…∞ |
具有可变导通时间、高电流的C6 - IGBT开关产品组
1) HTS 61-160-FI,快速IGBT开关。可变导通时间200ns至无穷大。带控制连接引线(选项PT-C)。6千伏,1600安。Ip(最大值)下的开启上升时间<90纳秒。关闭上升时间<0.8 s。
2) HTS 101-120-SI标准IGBT开关。变量准时1秒到无穷大。10千伏,1200安峰值。开启上升时间< 150 ns @ Ip(最大值)。关闭上升时间< 5秒。
3) HTS 241-240-SI标准IGBT开关。可变导通时间200 ns至无穷大。带可选散热片(CF选项)和法兰外壳(FH选项)。24千伏,2400安峰值。上升时间< 150 ns @ Ip(最大值)。
具有可变导通时间、高电流的C7- MCT开关产品组
1) HTS 61-300-MCT可变导通时间的晶闸管开关。6 kVDC,导通电流3 kA,关断电流100 A,导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5 s。
2) HTS 101-300-MCT可变导通时间的晶闸管开关。10 kVDC,导通电流3 kA,关断电流100 A,导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5 s。
3) HTS 181-300-MCT可变导通时间的晶闸管开关。18 kVDC,导通电流3 kA,关断电流100 A,导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5 s。
HTS200-800-SCR |
● |
led指示器和同步。并行连接的I/O |
20 |
8000 |
160 |
35…∞ |
型号参数:
HTS 240-48-B
MOSFET Switch
HTS 240-104-B
MOSFET Switch
HTS 241-30-SiC
HTS 401-160-LC2
MOSFET Switch
FSWP 51-02 (NO)
GCF VI
EXPRESS DE
HTS 201-15-SiC
Silicon Carbide Switch
HTS 121-160-FI
HTS 361-200-FI
IGBT Switch, Fast IGBT
HTS 361-200-FI
HTS 500-80
MOSFET Switch